FET - traduction vers russe
Diclib.com
Dictionnaire en ligne

FET - traduction vers russe

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Униполярный транзистор; Затвор (электроника); FET; Jfet; Транзистор, полевой; Полевые транзисторы; JFET; Канальный транзистор
  • принципиальных схемах]]
  • альт=<nowiki>Сток-затворная характеристика (слева) и семейство стоковых характеристик (справа) полевого транзистора с затвором в виде p-n перехода и каналом n-типа.  {\displaystyle V_{GS}}  — напряжение затвор-исток;  {\displaystyle V_{DS}}  — напряжение сток-исток;  {\displaystyle I_{DS}}  — ток стока или истока;  {\displaystyle V_{P}}  — запирающее напряжение затвора, или напряжение отсечки.</nowiki>
  •  В данной схеме в качестве нелинейного элемента используется МДП транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом.
  • Мощный полевой транзистор с каналом N-типа
  • Рис. 3. Выходные статические характеристики (a) и сток-затворная характеристика (b) МДП-транзистора со встроенным каналом.
  • Схема полевого транзистора
  • Рис. 1. Конструкция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа<br>а) с затвором со стороны подложки;<br>b) с диффузионным затвором.
  • Рис. 2. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором.<br>a) — с индуцированным каналом, b) — со встроенным каналом
  • Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим затвором
  • Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим истоком
  • Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим стоком

FET         
  • FET conventional symbol types
  • Insulator}}
Top: source, bottom: drain, left: gate, right: bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown.
  • I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.
  • [[Julius Edgar Lilienfeld]] proposed the concept of a field-effect transistor in 1925.
  • Cross section of an n-type MOSFET
  • Simulation result for right side: formation of inversion channel (electron density) and left side: current-gate voltage curve (transfer characteristics) in an n-channel [[nanowire]] [[MOSFET]]. Note that the [[threshold voltage]] for this device lies around 0.45&nbsp;V.
TRANSISTOR THAT USES AN ELECTRIC FIELD TO CONTROL ITS ELECTRICAL BEHAVIOUR
Field-effect transistors; Field-Effect Transistor; Field Effect Transistor; Depletion mode transistor; Depletion-mode transistor; FREDFET; Gate (transistor); Field effect transistor; Field effect transistors; Unipolar transistor; Unipolar transistors; Transistor channel; Channel (transistors); Drain (transistor); Source (transistor); Substrate (transistor); Bulk (transistor); FET (transistor); Body (transistor); Channel (transistor); FET; Depletion Mode Transistor; Fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor; Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor; Channel (semiconductor); Gate electrode; P-channel; N-channel; Gate (FET); Drain (FET); Source (FET)

общая лексика

Field Effect Transistor

полевой транзистор

существительное

общая лексика

Федеральный акцизный сбор (США)

синоним

Federal Excise Tax

field-effect transistor         
  • FET conventional symbol types
  • Insulator}}
Top: source, bottom: drain, left: gate, right: bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown.
  • I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.
  • [[Julius Edgar Lilienfeld]] proposed the concept of a field-effect transistor in 1925.
  • Cross section of an n-type MOSFET
  • Simulation result for right side: formation of inversion channel (electron density) and left side: current-gate voltage curve (transfer characteristics) in an n-channel [[nanowire]] [[MOSFET]]. Note that the [[threshold voltage]] for this device lies around 0.45&nbsp;V.
TRANSISTOR THAT USES AN ELECTRIC FIELD TO CONTROL ITS ELECTRICAL BEHAVIOUR
Field-effect transistors; Field-Effect Transistor; Field Effect Transistor; Depletion mode transistor; Depletion-mode transistor; FREDFET; Gate (transistor); Field effect transistor; Field effect transistors; Unipolar transistor; Unipolar transistors; Transistor channel; Channel (transistors); Drain (transistor); Source (transistor); Substrate (transistor); Bulk (transistor); FET (transistor); Body (transistor); Channel (transistor); FET; Depletion Mode Transistor; Fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor; Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor; Channel (semiconductor); Gate electrode; P-channel; N-channel; Gate (FET); Drain (FET); Source (FET)

машиностроение

транзистор канальный

полевой транзистор

unipolar transistor         
  • FET conventional symbol types
  • Insulator}}
Top: source, bottom: drain, left: gate, right: bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown.
  • I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.
  • [[Julius Edgar Lilienfeld]] proposed the concept of a field-effect transistor in 1925.
  • Cross section of an n-type MOSFET
  • Simulation result for right side: formation of inversion channel (electron density) and left side: current-gate voltage curve (transfer characteristics) in an n-channel [[nanowire]] [[MOSFET]]. Note that the [[threshold voltage]] for this device lies around 0.45&nbsp;V.
TRANSISTOR THAT USES AN ELECTRIC FIELD TO CONTROL ITS ELECTRICAL BEHAVIOUR
Field-effect transistors; Field-Effect Transistor; Field Effect Transistor; Depletion mode transistor; Depletion-mode transistor; FREDFET; Gate (transistor); Field effect transistor; Field effect transistors; Unipolar transistor; Unipolar transistors; Transistor channel; Channel (transistors); Drain (transistor); Source (transistor); Substrate (transistor); Bulk (transistor); FET (transistor); Body (transistor); Channel (transistor); FET; Depletion Mode Transistor; Fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor; Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor; Channel (semiconductor); Gate electrode; P-channel; N-channel; Gate (FET); Drain (FET); Source (FET)

общая лексика

униполярный транзистор

Définition

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР
(канальный транзистор) , транзистор, в котором изменение выходного тока происходит под действием перпендикулярного ему электрического поля, создаваемого входным сигналом. Имеет структуру полупроводника с электронно-дырочным переходом, контакта металл - полупроводник либо структуру металл - диэлектрик - полупроводник. Применяется для усиления сигналов по мощности и напряжению.

Wikipédia

Полевой транзистор

Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они уходят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.

Exemples de prononciation pour FET
1. the early and mid-20th century. From Aunt Jean's funeral and the balls, fetes and deaths,
Tetraktys _ Ari Juels _ Talks at Google
Exemples du corpus de texte pour FET
1. Among other literary landmarks Tolstoy has in his sights is the estate of famous Russian poet Afanasy Fet –– a beautiful countryside mansion surrounded by a park –– which inspired Fet to write his best collection of poetry after a 15–year–long writer‘s block.
2. The signs ask people to go to http://StopTheFETIncrease.com (FET stands for federal excise tax). "Smokers are being targeted for a 156% tax hike," the site says.